ZVP2120A
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
180
200
180
160
140
V DS= -25V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
V DS= -25V
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
0
-2
-4
-6
-8
-10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
0
100
-2
I D=- 0.4A
80
60
40
C iss
-4
-6
-8
-10
V DS =
-50V -100V -180V
-12
20
C oss
C rss
-14
-16
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3-427
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
相关PDF资料
ZVP2120GTC MOSFET P-CHAN 200V SOT223
ZVP3306ASTZ MOSFET P-CHAN 60V TO92-3
ZVP3306FTC MOSFET P-CHAN 60V SOT23-3
ZVP3310ASTZ MOSFET P-CHAN 100V TO92-3
ZVP4105ASTZ MOSFET P-CHAN 50V TO92-3
ZVP4424ASTOB MOSFET P-CHAN 240V TO92-3
ZVP4424GTC MOSFET P-CHAN 240V SOT223
ZVP4424ZTA MOSFET P-CHAN 240V SOT89
相关代理商/技术参数
ZVP2120ASTZ 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVP2120B 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-39
ZVP2120C 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Obsolete - alternative part: ZVP2120A
ZVP2120D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP
ZVP2120G 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-223
ZVP2120GTA 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVP2120GTC 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVP2120L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-220